前 言

    磁控濺射鍍膜屬于物理氣相沉積，離子在電場加速下高速轟擊陰極靶材，靶材原子被濺射出來后沉積到被鍍膜體表面而形成薄膜，是用來制備薄膜 材料的一種主要方法[1]。它的基本原理是：真空環(huán)境中電場加速離子后形成具有高動能的離子束流，碰撞固體表面，固體表面的原子被濺射出并離開固體沉積在被鍍膜體表面，被離子高速碰撞的固體就是產(chǎn)生薄膜的來源，被稱之為濺射靶材[2]。濺射法是一種先進的薄膜材料制備技術(shù)，這種方法具有速度高和溫度低兩大特點[3]。自 20 世紀 80 年代，信息存儲、集成電路、激光存儲器、液晶顯示器、電子控制器等產(chǎn)業(yè)開始進入高速發(fā)展時期，磁控濺射技術(shù)才從實驗室真正進入工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn) [4]。我國已經(jīng)逐漸成為薄膜靶材需求大國，在全球市場需求的拉動下，我國有很多材料領(lǐng)域的科研院所及企業(yè)，開展了濺射靶材的研發(fā)和生產(chǎn)工作，并取得了很大的進展。

    難熔金屬，一般包括鎢、鉭、鉬、鈮、鉿、鋯和鈦，其熔點都在1600℃以上。鎢、鉬等合金材料高溫強度和蠕變性能好，被廣泛用于微電子，照明光源、武器系統(tǒng)、原子能等行業(yè)。鉭鈮極其合金具有較低蒸氣壓、低熱膨脹系數(shù)、優(yōu)秀的抗腐蝕性能，被廣泛用于航空航天、化工裝備、集成電路、核能部門[5]。將難熔金屬制作成靶材可將其優(yōu)秀性能以薄膜的形式利用。表 1 給出了幾種難熔金屬靶材的應用領(lǐng)域。

1、 難熔金屬靶材的類型及應用

    濺射用靶材有如下幾種分類方法：如按材質(zhì)分靶材可分為金屬靶、高分子陶瓷非金屬靶和復合材料靶等。如按外形尺寸可分為圓柱形、長方形、正方 形板靶和管靶，見圖 1。

    因為一般常見的方靶圓靶都為實心，在鍍膜作業(yè)中，圓環(huán)形的永磁體在靶的表面產(chǎn)生的磁場為環(huán)形，會發(fā)生不均勻沖蝕現(xiàn)象 ，濺射的薄膜厚度均勻 性不佳 ，靶材的使用效率大約只有 20 %～30 %。而目前被推廣的空心管靶可繞固定的條狀磁鐵組件一定周期旋轉(zhuǎn)運動，360毅靶面可被均勻刻蝕 ，優(yōu)勢明顯，將利用率提高到 80 %[6]。

    1.1 W靶

    W 是難熔金屬熔點最高的一種，具有穩(wěn)定的高溫特性、抗電子遷移能力和較高的電子發(fā)射系數(shù)等諸多優(yōu)點。鎢及鎢合金靶在微電子、集成電路等行業(yè) 中被大量使用。Al、Cu，Ag 目前是集成電路制造用得最多的互連線材料，一般來說介質(zhì)層是 Si 或 SiO2，Al、Cu，Ag 會向介質(zhì)中擴散而形成硅化物，從而使金屬連線的電流強度急劇變?nèi)酰麄€布線系統(tǒng)功能可能會因此而崩潰。最好的解決方案是在布線與介質(zhì)之間再進行屏蔽來阻擋擴散層，阻擋層金屬是 WTi。

    大量試驗證明，WTi 合金（Ti 占 10 %～30 %）作為阻擋層已被成功地應用于 Al、Cu 和 Ag 布線技術(shù)。由于金屬 W 在其他金屬中原子的擴散率較低，可阻擋擴散，Ti 可有效地阻止晶界擴散，另一方面也提高了阻擋層的黏結(jié)力和抗腐蝕性能[7-8]。

    鎢靶還被應用于裝飾鍍膜行業(yè)，如手表、眼鏡、衛(wèi)生潔具、五金零件等產(chǎn)品，不僅能美化外觀，同時也具有抗磨損、腐蝕等功能。近些年來裝飾鍍膜用靶材的需求量日益擴大[9]。 國內(nèi)研發(fā) W 靶材的主要單位有上海鋼鐵研究所、北京安泰科技、西北有色金屬研究院、株洲硬質(zhì)合金集團等。

    1.2 Mo靶

    Mo具有高熔點、較低的比阻抗、高電導率、較好的耐腐蝕性而被廣泛用于 LCD 顯示屏、光伏電池中的配線、電極。還有集成電路的阻擋層材料。

    金屬 Cr 曾是 LCD 顯示屏配線的首選材料，如今超大型、高精度 LCD 顯示屏發(fā)展迅速，這對材料的比阻抗提出了更高的要求。此外，環(huán)境保護也必須兼顧。金屬 Mo 的膜應力的比阻抗只有鉻的一半，且不會污染環(huán)境，諸多優(yōu)勢使金屬 Mo 成為 LCD 顯示屏濺射靶材的最佳材料之一[10]。

    銅銦鎵硒（簡稱“CIGS”）薄膜太陽電池是一種最具有發(fā)展前景的薄膜太陽能電池，具有光電轉(zhuǎn)換效率高、無衰退、性能穩(wěn)定、成本低廉等諸多優(yōu)點。在光伏領(lǐng)域，國內(nèi)外學者們對 CIGS 產(chǎn)生了極大的關(guān)注。CIGS 薄膜太陽能電池的第五層就是背電極，電池的性能受背電極材料直接影響。Mo 濺射的薄膜熱穩(wěn)定性良好、電阻率較低、還能與 CIGS 層結(jié)合形成良好的歐姆接觸。同時金屬 Mo 薄膜還具有與上下玻璃層和 CIGS 近似的熱膨脹系數(shù)等特點，已成為薄膜太陽電池背電極的必選材料[11]。圖 2 是 Mo 在薄膜太陽能電池中的位置[5]。近些年來，全球的太陽能電池需求量激增，每年遞增 40 %以上。據(jù)報道，目前世界薄膜太陽能電池年發(fā)電總量約為 660 MW[10]。 國內(nèi)研發(fā) Mo 靶的主要單位有金堆城鉬業(yè)、北京安泰科技、洛陽高新四豐等。安泰科技公司采用壓制-燒結(jié)-熱等靜壓法制備的了大量鉬及其合金靶材，相對密度逸99 %[12]。

    1.3 Ta靶

    當大規(guī)模集成電路進入到深亞微米時代時，Al線對應力遷移和電遷移的抵抗能力相對較弱，這將造成布線空洞，導致電路系統(tǒng)完全失效。因此，金屬 Cu 布線將成為主流。Cu 比 Al 具有更高的抗電遷移能力和更低的電阻率，這意味著更小、更密集的連線可以承載更強的電流。低電阻提高了芯片速度。目前全球 130 nm、90 nm 及以下的器件生產(chǎn)商已經(jīng)采用Cu 互連工藝，Ta 成為 Cu 互連的阻擋層。目前，超大規(guī)模集成電路已逐漸發(fā)展為 Cu /Ta 系[13-14]。因為 Cu和 Si 的化學活性高，擴散速度快，易形成銅硅合金（Cu-Si），銅在硅中形成深的空穴，設備的性能被嚴重影響，最終導致系統(tǒng)失效。Ta 及 Ta 的化合物具有高熱穩(wěn)定性、高導電性和對外來原子的阻擋作用。

    Cu 和 Ta 以及 Cu 和 N 之間不反應，不擴散形成化合物，因此 Ta 和 Ta 基膜成為阻擋層可有效防止銅的擴散[15]。

    我國 Ta 儲量資源豐富，但在過去對半導體濺射靶材缺乏最基本的認識，從而限制了純 Ta 靶材的技術(shù)發(fā)展。在很長一段時間內(nèi)，我國生產(chǎn)濺射靶材 用的高純 Ta 原料主要依賴進口。寧夏東方鉭業(yè)通過多年研發(fā)，掌握了高純 Ta 濺射靶材原料生產(chǎn)工藝方法，填補了國內(nèi)空白。寧波江豐電子材料股份有限公司也生產(chǎn)出了 300 mm 高純 Ta 濺射靶材[14]。西安諾博爾稀貴金屬公司也掌握高純 Ta 靶的生產(chǎn)工藝[16]。

    1.4 Nb靶

    近些年，光電技術(shù)的發(fā)展迅速，Nb 薄膜材料已廣泛應用于與人們現(xiàn)代生活密切相關(guān)的 LCD、TFT等離子顯示屏、相機鏡頭鍍膜、光學鏡頭鍍膜、汽車 和建筑工業(yè)用玻璃的制造中[17]。鈮靶材還用于表面工程材料，如化工耐腐蝕、船舶、耐熱、電子成像、信息儲存、高導電等鍍膜行業(yè)[18]。由于高的利用率，旋轉(zhuǎn)空心圓管磁控濺射靶目前在業(yè)內(nèi)得到廣泛推廣，鈮管靶主要應用于平面顯示器、先進觸控屏和節(jié)能玻璃的表面鍍膜等行業(yè)，對玻璃屏幕起抗反射作用[19]。

    我國研發(fā) Nb 靶的主要單位有寧夏東方鉭業(yè)、西北有色金屬研究院等。據(jù)筆者了解，寶雞佳軍公司通過熔煉擠壓方式生產(chǎn)出了外徑 152 mm，內(nèi)徑 125 mm，長度為 3 900 mm 的大型鈮管靶，平均晶粒尺寸達到了 75.5μm 。

2、靶材的技術(shù)要求

    為了確保沉積薄膜的質(zhì)量和提高濺射效率，靶材的品質(zhì)成為關(guān)鍵因素。經(jīng)過國內(nèi)外大量研究得出，對濺射靶材質(zhì)量影響最大的幾個因素分別為：純凈 度、致密度、尺寸精度、晶粒度、織構(gòu)等。

    2.1 純 度

濺射靶材的純度是影響鍍膜效果的首要因素。

    靶材中的雜質(zhì)和氣孔中的氧和水分是沉積薄膜的主要污染源。要提高濺射薄膜的性能，就應盡可能降低靶材中雜質(zhì)含量，提高純度，減少污染源，提高沉積薄膜的均勻性[2]。 不同應用領(lǐng)域的靶材對純度要求不同，普通鍍膜用靶材要求純度達到 99 %以上即能滿足要求。對靶材純度要求較為苛刻的是微電子、顯示器等領(lǐng)域用，需要至少分析 40 個以上的雜質(zhì)元素，純度為 99.95 %（3N5）以上方可使用[20]。

    2.2 致密度

    濺射靶材的內(nèi)部如不是非常致密，或存積氣體，那么在濺射過程中氣體釋放將會產(chǎn)生微粒直接影響鍍膜質(zhì)量。氣孔同時會導致濺射時產(chǎn)生不正常放電，而產(chǎn)生雜質(zhì)粒子。為了保證薄膜的質(zhì)量和性能，必須使濺射靶材的致密度要達到較高水平。靶材致密度越高，其導電、導熱性越好，強度越高等。高致密度靶材鍍膜有諸多優(yōu)點：靶材使用壽命長，濺射功率小，成膜速率高，薄膜不易開裂，透光率高。

    2.3 微觀組織

    濺射速度直接受晶粒尺寸的影響，晶粒粗大靶材的濺射速率要比晶粒細小的靶材慢很多，晶粒尺寸變小，薄膜沉積速率增大。而同一塊靶材的晶粒尺寸整體差異較小，沉積薄膜的厚度分布就更為均勻。金堆城鉬業(yè)研發(fā)的鉬靶材平均晶粒尺寸達到 50 滋m，屬國內(nèi)領(lǐng)先水平[21]。一般情況下，因為變形量等因素影響，平面靶的晶粒尺寸比管狀靶材更容易細小、均勻。

    當靶材在濺射時，其原子會沿著六方密排面優(yōu)先濺射出來，因此，為了提高濺射鍍膜速率，可以盡可能調(diào)整靶材結(jié)構(gòu)使具有一定的晶體取向。在晶粒 尺寸合適的范圍內(nèi)，晶粒取向越均勻越好。靶材晶粒取向還會對薄膜的厚度、均勻性都會產(chǎn)生較大影響。

    要使靶材的微觀組織具有一定的結(jié)晶取向，就要根據(jù)靶材金屬的微觀組織特征，采用不同的壓力加工方式，再結(jié)合適當?shù)臒崽幚磉M行調(diào)整和控制。國內(nèi)許多單位已對不同加工方式對結(jié)晶取向的影響做了大量研究。

    2.4 尺寸精度

    濺射靶材在后期裝配前要進行一系列機械加工，其加工質(zhì)量和精度（平面度，直線度，粗糙度）也會影響到薄膜性能。靶材濺射作業(yè)前必須與鋁或無 氧銅底盤（背板）連接在一起，配合緊密才能使靶材與背板更好的導電導熱。裝配完畢后要使用超聲波檢測，如果兩者的空隙區(qū)域小于總接觸面的 2 %，這樣才能在大功率濺射中使用[10]。同樣的尺寸精度要求下，管狀靶材的機加工難度要大于平面靶材，因為大型管靶一般都采用擠壓成型，內(nèi)孔有較深的擠壓溝槽，這對機加造成了較大困難。業(yè)內(nèi)一般采用高精度數(shù)控深孔鉆鏜床來加工內(nèi)孔。

3、難熔金屬靶材的制備技術(shù)

    難熔金屬濺射靶材的制備方法主要分為粉末冶金法和熔煉法，其中 W、Mo 多采用粉末冶金，而 Ta、Nb 多采用熔煉法生產(chǎn)，具體工藝流程見圖 3。

    3.1 粉末冶金法

    粉末冶金法是適合制作難熔金屬濺射靶材的傳統(tǒng)方法。難熔金屬熔點很高，該方法采用固/液相燒結(jié)，所以在遠低于其熔點的溫度下使其成型；生產(chǎn)合金靶材時，兩種或兩種以上的合金粉末通過混料機長時間混合均勻后加熱壓制，有效地杜絕了合金組元的偏析。另外一大優(yōu)點是粉末冶金法制備的靶材晶粒較細，可達到 100 滋m 以下。一般粉末冶金法制備的濺射靶材多采用冷等靜壓加燒結(jié)、熱壓燒結(jié)和熱等靜壓三種方式。其中熱等靜壓得到的致密度最高，前兩種方法得到的靶材致密度則相對較低。因此提高粉末冶金燒結(jié)法制備靶材致密度是必須解決的關(guān)鍵技術(shù)之一。通過壓力加工可有效改善粉末冶金靶材的致密度低的問題。魏修宇[7]研究了軋制變形量對粉末冶金 W 靶材致密度的影響，隨著變形增大，致密度增加，最高可達 99.5 %以上。朱琦[22]研究了擠壓對粉末冶金鉬管靶組織、性能以及致密度的影響，使鉬管靶密度從燒結(jié)坯的 9.8 g/cm3 增加到10.15 g/cm3，達到了高致密度的要求。

    W、Mo 濺射靶材大多采用粉末冶金方法制備，由于粉末冶金的提純能力有限，因此原料必須為高純粉末，另外在制備過程還要嚴格控制雜質(zhì)元素的 混入。目前國內(nèi)高純金屬的提純技術(shù)與工業(yè)發(fā)達國家的差距較大。郭讓民[23]將仲鎢酸銨重新氨溶中和，活性炭吸附結(jié)晶提純，再經(jīng)還原后制備出高純 W粉，可有效地深度去除雜質(zhì)，純度達 99.99 %以上。

    3.2 熔煉法

    熔煉法是制備難熔金屬靶材另一種重要的方法，因為難熔金屬的具有高熔點，多采用電子束、電弧熔煉。電子束熔煉具有高溫、高升溫速率、高真空 等優(yōu)點，適合提純精煉各種難熔金屬。電子束熔煉得到的金屬鑄錠致密，內(nèi)部組織無孔隙、氣孔，非常接近理論密度。但電子束熔煉有兩大缺點：一是鑄錠晶粒粗大；二是熔煉合金時對于組元蒸氣壓相差較大情況下，會發(fā)生偏析現(xiàn)象。電弧熔煉適合熔煉合金，其鑄錠致密度也非常高，但提純效果不及電子束熔煉。由于熔煉法得到的靶材晶粒粗大，通過壓力加工和熱處理可使晶粒變細，并得到一定晶粒取向的組織。劉寧[14]研究了鉭靶中{110}、{100} 、{111}三種織構(gòu)的濺射速率關(guān)系，提出采用熱鍛造強塑性變形工藝對 Ta 靶進行加工，使其具有更均勻的織構(gòu)組分。

    宜楠[13]通過對電子束熔煉、鍛造、軋制、熱處理等關(guān)鍵工藝進行優(yōu)化調(diào)整，獲得了織構(gòu)以{111}型為主晶粒尺寸小于 100 滋m 性能優(yōu)良的鉭靶。王國棟[17]研究了電子束熔煉的高純鈮錠在加熱 1 100 益高溫鐓造再通過換向軋制制備的 Nb 靶材，其晶粒取向一致，晶粒大小分布均勻。筆者對純 Nb 板靶材也進行了一系列試驗。電子束熔煉的粗大晶粒純 Nb 鑄錠通過鍛造、退火、再經(jīng) 60 %變形量的軋制，再進行約1 200 益左右的成品退火得到 7.5 級晶粒度（平均晶粒數(shù)為 1 400 個/mm2），組織均勻、性能優(yōu)良的純 Nb靶材。

4、結(jié) 語 

    近些年來，我國研究生產(chǎn)濺射靶材的單位企業(yè) 在制備技術(shù)、產(chǎn)品品種等方面都有非常大的進步。打 破了高端靶材長期依賴進口的局面。研發(fā)生產(chǎn)靶材 的中小型民營企業(yè)也取得了很大成果。薄膜市場需 求的快速發(fā)展，濺射靶材品種要求也越來越多，加速了更新?lián)Q代周期，傳統(tǒng)工藝也慢慢不能滿足要求，需要對工藝進行優(yōu)化和革新。今后的發(fā)展方向是要引入新方法新工藝來解決靶材在濺射過程中微粒飛濺、利用率和導磁率等問題。靶材的目的是濺鍍薄膜，只研究靶材遠遠不夠，需要將靶材與薄膜兩種研究結(jié)合起來，努力促進靶材制備技術(shù)的革新與發(fā)展。

參考文獻：

[1] 陳海峰，薛瑩潔.國內(nèi)外磁控濺射靶材的研究進展[J].表面技術(shù)，2016，45（10）：56-63.

CHEN Haifeng，XUE Yingjie. Research progress of magnetronsputtering target at home and abroad [J]. Surface Technology， 2016，45（10）：56-63.

[2] 劉志堅，陳遠星，黃偉嘉，等.濺射靶材的應用及制備初探[J].南方金屬，2003（6）：23-24.

LIU Zhijian，CHEN Yuanxing，HUANG Weijia，et al.Manufactureand application of sputtering target materials [J].Southern Metals，2003（6）：23-24.

[3] 金永中，劉東亮，陳 建.濺射靶材的制備及應用研究[J].四川理工學院學報（自然科學版），2005，18（3）：22-24.

JIN Yongzhong，LIU Dongliang，CHEN Jian.Studying on manufacture and application of sputtering target materials [J].Journal of Sichuan University of Science & Engineering （Natural Science Edition）， 2005，18（3）：22-24.

[4] 儲志強.國內(nèi)外磁控濺射靶材的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢[J].金屬材料與 冶金工程，2011（4）：44-49.

CHU Zhiqiang. The present status and development trend of mag netron sputtering target at home and abroad[J]. Metal Materials and Metallurgy Engineering，2011（4）：44-49.

[5] 殷為宏，湯慧萍.難熔金屬材料與工程應用[M].北京：冶金工業(yè) 出版社，2012：253.

[6] 王大勇，顧小龍.靶材制備研究現(xiàn)狀及研發(fā)趨勢[J].浙江冶金， 2007（4）：1-9.

WANG Dayong，GU Xiaolong. Research Status and Development Trend of Target Preparation [J]. Journal of Zhejiang Metallurgy， 2007（4）：1-9.

[7] 魏修宇.半導體用高純鎢靶材的制備技術(shù)與應用[J].硬質(zhì)合金， 2017，34（5）：353-359.

WEI Xiuyu.Preparation technology and application of high purity tungsten target for semiconductor [J].Cemented Carbide，2017，34    （5）：353-359.

[8] 尚再艷，江 軒，李勇軍，等.集成電路制造用濺射靶材[J].稀有 金屬，2016，29（4）：475-477.

SHANG Zaiyan，JIANG Xuan，LI Yongjun，et al. Sputtering targets used in integrated circuit [J]. Chinese Journal of Rare Metals， 2016，29（4）：475-477.

[9] 遲偉光，張鳳戈，王鐵軍，等.濺射靶材的應用及發(fā)展前景[J].新 材料產(chǎn)業(yè)，2010（11）：6-11.

CHI Weiguang，ZHANG Fengge，WANG Tiejun，et al.Application and development prospect ofsputtering targets[J].Advanced Materials Industry，2010（11）：6-11.

[10] 安 耿，李 晶，劉仁智，等.鉬濺射靶材的應用、制備及發(fā)展[J]. 中國鉬業(yè)，2011，35（2）：45-48.

AN Geng，LI Jing，LIU Renzhi，et al. The application，manufacture原    anddeveloping trend ofmolybdenum sputtering target [J]. China Molybdenum Industry，2011，35（2）：45-48.

[11] 沈曉月. 磁控濺射法制備 CIGS 薄膜光伏電池 Mo 背電極的研 究[D]. 大連：大連工業(yè)大學，2013.

SHEN Xiaoyue. Study on Mo back electrode of CIGS thin film photovoltaic cells prepared by magnetron sputtering [D]. Dalian： Dalian Polytechnic University，2013.

[12] 安泰科技股份有限公司.高純度、高致密度、大尺寸鉬合金靶材 的制備方法：CN105525260A[P]. 2013-09-25.

[13] 宜 楠，權(quán)振興，趙鴻磊，等.集成電路用鉭濺射靶材制備工藝    研究[J].材料開發(fā)與應用，2016，31（3）：71-75.

YI Nan，QUAN Zhenxing，ZHAO Honglei，et al. Research on processing of tantalum target for sputtering to LSIS[J]. Development and Application of Materials，2016，31（3）：71-75.

[14] 劉 寧，楊 輝，姚力軍，等.集成電路用大尺寸高純鉭靶材的 制備工藝進展[J]. 集成電路應用，2018，35（2）：24-28.

LIU Ning，YANG Hui，YAO Lijun，et al.The progresses on fabrication of large size high-purity tantalum targets for integrated circuits[J]. Applications of IC，2018，35（2）：24-28.

[15] 潘倫桃，李 彬，鄭愛國，等.鉭在集成電路中的應用[J].稀有金 屬，2003，27（1）：28-34.

PAN Luntao，LI Bin，ZHENG Aiguo，et al. Application of tantalum to LSIC[J].Chinese Journal of Rare Metals，2003，27（1）：28-34.

[16] 郝小雷. 組織均勻鉭濺射靶材的制備現(xiàn)狀 [J]. 山東工業(yè)技術(shù)， 2017（18）：63-63.

HAO Xiaolei. Preparation status of tissue homogeneous tantalum sputtering targets [J].Shandong Industrial Technology，2017（18）： 63-63.

[17] 王國棟，王 艷，李高林，等.濺射用優(yōu)質(zhì)鈮靶材的制備[J].稀有 金屬材料與工程，2008（4）：533-536.

WANGGuodong，WANGYan，LI Gaolin，et al. Processing of niobium target for sputting [J]. Rare Metal Materials and Engineering，2008 （4）：533-536.

[18] 李兆博，張春恒，李桂鵬，等.濺射鍍膜用鈮靶材晶粒尺寸控制

工藝研究[J]. 材料開發(fā)與應用，2010，25（6）：33-35. LI Zhaobo，ZHANG Chunheng，LI Guipeng，et al. Research on grain size controlling process of niobium target used for sputtering and coating[J]. Development and Application of Materials，2010，25 （6）：33-35.

[19] 張國軍，汪 凱，李桂鵬，等.旋轉(zhuǎn)鍍膜鈮靶材加工工藝研究[J]. 材料開發(fā)與應用，2014，29（6）：54-57.

ZHANG GuoJun，WANG Kai，LI Guipeng，et al. Processing tech原 nology of spin coating process niobium target [J]. Development and Application of Materials，2014，29（6）：54-57.

[20] 賈國斌，馮寅楠，賈 英.磁控濺射用難熔金屬靶材制作、應用 與發(fā)展[J].金屬功能材料，2016，23（6）：48-52.

JIA Guobin，F(xiàn)ENG Yinnan，JIA Ying.Manufacture,application and development of refractory metal target used on magnetron sputtering [J]. Metallic Functional Materials，2016，23（6）：48-52.

[21] 楊 帆，王快社，胡 平，等.高純鉬濺射靶材的研究現(xiàn)狀及發(fā) 展趨勢[J].熱加工工藝，2013（24）：10-12.

YANG Fan，WANG Kuaishe，HU Ping，et al. Research status and    development trend of high purity molybdenum sputtering target material[J]. Hot Working Technology，2013（24）：10-12.

[22] 朱 琦，王 林，楊秦莉，等.鉬管靶材的擠壓理論與組織性能 分析[J].中國鉬業(yè)，2014（4）：50-53.

ZHU Qi，WANG Lin，YANG Qinli，et al. Extrusion theory and analysis on microstructure and properties of molybdenum tube target[J]. China Molybdenum Industry，2014（4）：50-53.

[23] 郭讓民.高純鎢濺射靶材制取工藝研究[J].中國鉬業(yè)，1997（增刊 1）： 39-41.

GUO Rangmin. Study on preparation of high pure tungsten materials [J]. China Molybdenum Industry，1997（supply1）：39-41.

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